Neo Semiconductor lança 3D X

A Neo Semiconductor, produtora de flash 3D NAND com sede nos EUA, está lançando seus chips de memória 3D X-DRAM, considerados os primeiros DRAM semelhantes a 3D NAND do mundo, com capacidades muito maiores em relação às soluções atuais de DRAM 2D. A primeira iteração da tecnologia 3D X-DRAM pode atingir densidade de 128 Gb com 230 camadas por chip, 8x mais do que os atuais chips 2D DRAM. A Neo Semiconductor acredita que esta solução pode ser dimensionada mais facilmente e é menos dispendiosa de implementar em comparação com outras alternativas de DRAM 3D, tornando-a uma candidata sólida para substituir a DRAM 2D em um futuro próximo.

A vantagem da tecnologia 3D X-DRAM está no uso do inovador design Floating Body Cell (FBC) que armazena dados como cargas elétricas usando um transistor e zero capacitores. Ao contrário de outras alternativas 3D DRAM que tentam criar novos designs mais complicados, o 3D X-DRAM aproveita os processos 3D NAND maduros de hoje, exigindo apenas uma máscara para definir os orifícios da linha de bits e formar a estrutura da célula dentro dos orifícios. Essa abordagem pode simplificar bastante a produção, implementação e transição da DRAM 2D.

A Neo Semiconductor já publicou todos os pedidos de patente relevantes junto ao USPAP em 6 de abril deste ano. A empresa está determinada a impulsionar a indústria para o 3D X-DRAM como uma solução necessária para a crescente demanda de memória de alto desempenho e alta capacidade provocada pelos rápidos avanços na IA. Com base nas estimativas da Neo Semiconductor, a capacidade de memória pode ser dobrada para 256 Gb até 2025, enquanto as capacidades de 1 Tb podem ser oferecidas em uma década. Mais informações serão divulgadas no Flash Memory Summit em 9 de agosto de 2023.

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Neo Semiconductor

via DigiTimes

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